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IT之家 8 月 10 日消息，SK 海力士今日发布公告，旗下最新的 LPDDR5T 内存已在联发科的下一代移动平台（预计为天玑 9300）进行了验证。

SK 海力士称，联发科的下一代旗舰移动芯片组将于年内发布，LPDDR5T 内存速度高达 9.6Gbps，比上一代海力士 LPDDR5X 快 13%。

据IT之家此前报道，SK 海力士在今年 1 月份宣布成功开发出全球当前速度最快的移动 DRAM LPDDR5T。

SK 海力士在本次产品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工艺，预计在下一代 LPDDR6 问世之前，大幅拉开技术差距的 LPDDR5T 将主导该市场。

博主 @数码闲聊站 此前爆料称，天玑 9300 目前的技术规格为 4*X4（1*X4+3*X4m）+ 4*A720，GPU 为 Immortalis G720。其中 1 颗 CPU 是常规 X4，其他三颗为 X4m，预计是频率更低一些。CPU 频率暂定 X4 超大核最低为 3.0GHz，A720 大核最低为 2.0GHz，最终会根据骁龙 8 Gen 3 落地频率调整。

目前来看，天玑 9300 将采用全大核设计，直接以超大核 + 大核方案来设计芯片架构。而且根据 Arm 公布的信息来看，基于 Armv9 的 Cortex-X4 超大核相比 X3 性能提升 15%，基于相同工艺的全新高能效微架构可实现功耗降低 40%。

LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的 DRAM 规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新规格为第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的顺序开发而成。LPDDR5T 是 SK 海力士业界首次开发的产品，是第八代 LPDDR6 正式问世之前，将第七代 LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。

HKMG（High-K Metal Gate）：在 DRAM 晶体管内的绝缘膜上采用高 K 栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移动 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工艺。